集成电路安全腐蚀检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.表面腐蚀形貌检测：表面变色观察，腐蚀斑点识别，腐蚀坑深度评估，裂纹伴生腐蚀分析，边缘腐蚀分布检查。

2.金属互连腐蚀检测：铝层腐蚀检查，铜层腐蚀检查，互连线局部减薄分析，通孔腐蚀评估，金属残留物附着分析。

3.焊点腐蚀检测：焊点表面氧化评估，焊料腐蚀产物分析，焊点孔蚀检查，焊点界面腐蚀识别，焊点开裂伴生腐蚀分析。

4.引线与引脚腐蚀检测：引线框架腐蚀检查，引脚镀层腐蚀评估，端子接触面腐蚀分析，接触电阻变化检测，可焊性受腐蚀影响评估。

5.封装材料耐腐蚀检测：塑封材料吸湿后腐蚀风险分析，封装界面腐蚀检查，填料析出影响评估，封装层开裂诱发腐蚀分析，包封缺陷关联腐蚀检测。

6.离子污染检测：氯离子残留分析，溴离子残留分析，钠离子残留分析，钾离子残留分析，离子迁移风险评估。

7.湿热腐蚀检测：高湿环境腐蚀响应评估，冷凝条件腐蚀检查，湿热后外观变化检测，湿热后绝缘性能变化分析，湿热后失效部位定位。

8.电化学腐蚀检测：电迁移倾向评估，枝晶生长观察，偏压下腐蚀加速分析，绝缘间隙腐蚀风险检查，导电通路异常形成分析。

9.钝化层与保护层完整性检测：钝化层破损检查，保护层针孔识别，覆盖层附着状态评估，局部剥离分析，屏蔽失效区域定位。

10.截面腐蚀分析：分层结构腐蚀观察，界面反应层检查，腐蚀扩展路径分析，层间空洞伴生腐蚀评估，截面厚度变化测量。

11.微区成分检测：腐蚀产物成分分析，异常元素分布检查，表面污染物识别，局部沉积物分析，界面反应物判定。

12.绝缘与电性能关联检测：漏电变化检测，绝缘电阻变化分析，导通异常排查，功能失效关联腐蚀分析，电参数漂移评估。

检测范围

集成电路晶圆、裸芯片、逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、功率芯片、传感芯片、射频芯片、微控制器、系统级封装器件、塑封器件、陶瓷封装器件、球栅阵列器件、引线框架封装器件、芯片引脚、焊点、键合线、金属互连层、封装基板、芯片载板

检测设备

1.金相显微镜：用于观察集成电路表面腐蚀形貌、腐蚀斑点分布及微小裂纹特征。

2.扫描电子显微镜：用于高倍率分析腐蚀区域微观形貌、孔蚀特征及界面失效细节。

3.能谱分析仪：用于检测腐蚀产物及污染物的元素组成，辅助识别异常元素来源。

4.离子色谱仪：用于分析样品表面可溶性离子残留，评估离子污染引发腐蚀的风险。

5.恒温恒湿试验箱：用于模拟湿热环境，考察器件在高湿条件下的腐蚀敏感性和稳定性。

6.盐雾试验箱：用于模拟含盐腐蚀环境，评估引脚、端子及金属部位的耐腐蚀性能。

7.电参数测试仪：用于检测腐蚀前后漏电、绝缘、电阻及其他电性能变化情况。

8.切片制样设备：用于制备芯片和封装截面样品，支持层间结构和腐蚀路径分析。

9.表面轮廓测量仪：用于测量腐蚀坑深度、表面起伏变化及局部材料减薄程度。

10.清洁度分析设备：用于评估样品表面残留颗粒物和污染物水平，辅助判断腐蚀诱因。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质